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Nexperia新添TrEOS系列ESD保護(hù)器件:PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM

發(fā)表日期:2023-01-06 來(lái)源:wbunte.com.cn瀏覽:832

國(guó)際品牌安世Nexperia宣布Nexperia TrEOS產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品,即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護(hù)二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶,浪涌抗擾度出眾,出眾的IEC61000-4-5浪涌等級(jí)。

ESD封裝東沃.jpg

Nexperia高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider表示:“Nexperia開發(fā)了TrEOS產(chǎn)品組合,專門用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3.2、USB4、Thunderbolt、HDMI 2.1和通用閃存等應(yīng)用的高性能ESD保護(hù)解決方案。PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速開關(guān)速度可為高速數(shù)據(jù)線提供極為有效的ESD峰值抑制性能,而其低觸發(fā)電壓有助于顯著降低IEC61000-4-5 8/20µs浪涌脈沖所含的能量。”

單數(shù)據(jù)線PESD4V0Y1BBSF采用低電感DSN0603-2封裝,觸發(fā)電壓為6.3V TLP,典型器件魯棒性和電容分別為25A 8/20µs和0.7pF。PESD4V0Y1BBSF提供的鉗位電壓在16A 100ns TLP時(shí)僅為2.4V,在20A 8/20µs浪涌時(shí)僅為3.4V。雙數(shù)據(jù)線PESD4V0X2UM采用緊湊型DFN1006-3封裝,觸發(fā)電壓為8V,典型器件魯棒性超過(guò)14A 8/20µs,典型器件電容為0.82pF。

雖然這兩種器件都可為USB2.0 D+/D-線路提供出色的保護(hù)作用,但PESD4V0Y1BBSF的S21通帶超過(guò)7.5GHz,因此適用于5Gbps時(shí)的USB3.x。這兩種器件都可提供高水平的抗浪涌性能,出眾的IEC61000-4-5浪涌等級(jí)。   

東沃電子DOWOSEMI是一家專業(yè)的國(guó)產(chǎn)電路保護(hù)器件器件、二極管和三極管生產(chǎn)廠商,自主研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的產(chǎn)品包括:TVS瞬態(tài)抑制二極管、ESD靜電保護(hù)器件、壓敏電阻、自恢復(fù)保險(xiǎn)絲、陶瓷氣體放電管、穩(wěn)壓二極管、整流二極管、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、開關(guān)二極管、三極管等等。東沃電子產(chǎn)品能夠完美替代各大國(guó)際品牌(Nexperia、Vishay、Littelfuse、Bourns、ON、Semtech、Protek、ST等等)對(duì)應(yīng)的物料,竭誠(chéng)歡迎廣大新老客戶前來(lái)咨詢:136 7581 6901(微信同號(hào))朱工 

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